आईआरएफबीजी20पीबीएफ
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
Package / Case:
TO-220-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
38 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
11ओम @ 840mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
500 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.4A (Tc)
Power Dissipation (Max):
54W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFBG20
परिचय
एन-चैनल 1000 V 1.4A (Tc) 54W (Tc) छेद के माध्यम से TO-220AB
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