SQM120P06-07L_GE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
270 एनसी @ 10 वी
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6.7mOhm @ 30A, 10V
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
14280 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
TO-263 (D²Pak)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Power Dissipation (Max):
375W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQM120
परिचय
पी-चैनल 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) सतह माउंट TO-263 (D2Pak)
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