SQJ431AEP-T1_GE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
3.5V @ 250μA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
पैकेज / मामला:
पॉवरपैक® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
85 nC @ 10 V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
305mOhm @ 3.8A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3700 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
9.4A (Tc)
Power Dissipation (Max):
68W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQJ431
परिचय
पी-चैनल 200 V 9.4A (Tc) 68W (Tc) सतह माउंट PowerPAK® SO-8
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