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SIR690DP-T1-GE3

निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
37 nC @ 7.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
35mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
N-Channel
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
7.5 वी, 10 वी
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
200 वी
Vgs (Max):
±20V
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1935 pF @ 100 V
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
Series:
ThunderFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
34.4A (Tc)
Power Dissipation (Max):
104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIR690
परिचय
एन-चैनल 200 V 34.4A (Tc) 104W (Tc) सतह माउंट PowerPAK® SO-8
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स्टॉक:
एमओक्यू: