SI2333DDS-T1-GE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
35 nC @ 8 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
28mOhm @ 5A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
12 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1275 pF @ 6 V
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
Series:
TrenchFET®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
6ए (टीसी)
Power Dissipation (Max):
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
Base Product Number:
SI2333
परिचय
पी-चैनल 12 V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) सतह माउंट SOT-23-3 (TO-236)
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