SIR826DP-T1-GE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
90 एनसी @ 10 वी
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.8mOhm @ 20A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2900 pF @ 40 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Power Dissipation (Max):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIR826
परिचय
एन-चैनल 80 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) सतह माउंट PowerPAK® SO-8
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