SQ2389ES-T1_GE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
94mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
P-Channel
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4.5 वी, 10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
Product Status:
Active
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
420 पीएफ @ 20 वी
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.1A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQ2389
परिचय
पी-चैनल 40 V 4.1A (Tc) 3W (Tc) सतह माउंट SOT-23-3 (TO-236)
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