SIRA18DP-T1-GE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेज / मामला:
पॉवरपैक® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
21.5 nC @ 10 V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
7.5mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
N-Channel
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4.5 वी, 10 वी
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
30 वी
Vgs (Max):
+20V, -16V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1000 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
33A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIRA18
परिचय
एन-चैनल 30 V 33A (Tc) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) सतह माउंट PowerPAK® SO-8
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