SIR876ADP-T1-GE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
49 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10.8mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1630 pF @ 50 V
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
Series:
TrenchFET®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
पॉवरपैक® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
40ए (टीसी)
Power Dissipation (Max):
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIR876
परिचय
एन-चैनल 100 V 40A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) सतह माउंट PowerPAK® SO-8
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