SI7119DN-T1-GE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-50°C ~ 150°C (TJ)
पैकेज / मामला:
पावरपैक® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
25 nC @ 10 V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
1.05ओम @ 1A, 10V
FET Type:
P-Channel
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
6 वी, 10 वी
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
200 वी
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
666 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.8A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7119
परिचय
पी-चैनल 200 V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) सतह माउंट PowerPAK® 1212-8
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