IRFBE30PBF
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेज / मामला:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
78 nC @ 10 V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
3ओम @ 2.5A, 10V
FET Type:
N-Channel
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
800 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1300 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.1A (Tc)
Power Dissipation (Max):
125W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFBE30
परिचय
एन-चैनल 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) छेद के माध्यम से TO-220AB
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