IRL510PBF
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
6.1 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
540mOhm @ 3.4A, 5V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4V, 5V
Package:
Tube
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
100 वी
Vgs (Max):
±10V
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
250 pF @ 25 V
माउंटिंग प्रकार:
छेद से
Series:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
टू-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
43W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRL510
परिचय
एन-चैनल 100 V 5.6A (Tc) 43W (Tc) छेद के माध्यम से TO-220AB
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