SI4463BDY-T1-E3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
56 nC @ 4.5 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±12V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
1.4V @ 250µA
Supplier Device Package:
8-SOIC
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
11mOhm @ 13.7A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
FET Type:
P-Channel
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
2.5 वी, 10 वी
Power Dissipation (Max):
1.5W (Ta)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
9.8A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4463
परिचय
पी-चैनल 20 V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) सतह माउंट 8-SOIC
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