SISA14DN-T1-GE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
29 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
5.1mOhm @ 10A, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
वीजीएस (अधिकतम):
+20V, -16V
Product Status:
Active
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
1450 पीएफ @ 15 वी
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
20A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SISA14
परिचय
एन-चैनल 30 वी 20 ए (टीसी) 3.57 डब्ल्यू (टीए), 26.5 डब्ल्यू (टीसी) सतह माउंट PowerPAK® 1212-8
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