आईआरएफडी110पीबीएफ
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
Package / Case:
4-DIP (0.300", 7.62mm)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
8.3 एनसी @ 10 वी
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
540mOhm @ 600mA, 10V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
पैकेज:
ट्यूब
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
180 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
4-HVMDIP
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.3W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFD110
परिचय
एन-चैनल 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) होल 4-HVMDIP के माध्यम से
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