SIS407DN-T1-GE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
93.8 nC @ 8 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
1.8 वी, 4.5 वी
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
20 वि
Vgs (Max):
±8V
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2760 pF @ 10 V
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
25A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.6W (Ta), 33W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIS407
परिचय
पी-चैनल 20 V 25A (Tc) 3.6W (Ta), 33W (Tc) सतह माउंट PowerPAK® 1212-8
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