SIA427DJ-T1-GE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
800mV @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SC-70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
50 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
16mOhm @ 8.2A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.2V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
8 V
Vgs (Max):
±5V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2300 pF @ 4 V
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
Series:
TrenchFET®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
पावरपैक® एससी-70-6
Mfr:
Vishay Siliconix
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.5W (Ta), 19W (Tc)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
Base Product Number:
SIA427
परिचय
पी-चैनल 8 वी 12 ए (टीसी) 3.5W (टीए), 19W (टीसी) सतह माउंट PowerPAK® SC-70-6
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