SI1308EDL-T1-GE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
1.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेज / मामला:
एससी-70, एसओटी-323
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
4.1 nC @ 10 V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
132mOhm @ 1.4A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
105 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SC-70-3
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.4A (Tc)
Power Dissipation (Max):
400mW (Ta), 500mW (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI1308
परिचय
एन-चैनल 30 V 1.4A (Tc) 400mW (Ta), 500mW (Tc) सतह माउंट SC-70-3
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