SQM120P10_10M1LGE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
190 एनसी @ 10 वी
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10.1mOhm @ 30A, 10V
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
TO-263 (D²Pak)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Power Dissipation (Max):
375W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQM120
परिचय
पी-चैनल 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) सतह माउंट TO-263 (D2Pak)
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