SIR681DP-T1-RE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
एफईटी सुविधा:
-
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
2.6V @ 250µA
श्रृंखला:
ट्रेंचफेट® जनरेशन IV
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
105 एनसी @ 10 वी
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
पॉवरपैक® SO-8
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
11.2mOhm @ 10A, 10V
एमएफआर:
Vishay Siliconix
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
4850 पीएफ @ 40 वी
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
80 वी
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
6.25W (टीए), 104W (टीसी)
पैकेज / मामला:
पॉवरपैक® SO-8
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
17.6A (टीए), 71.9A (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एसआईआर681
परिचय
पी-चैनल 80 V 17.6A (Ta), 71.9A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) सतह माउंट PowerPAK® SO-8
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