SIA456DJ-T1-GE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
1.4V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
पावरपैक® एससी-70-6
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
14.5 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
1.38ओम @ 750mA, 4.5V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
1.8 वी, 4.5 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
200 वी
वीजीएस (अधिकतम):
±16V
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
350 पीएफ @ 100 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
ट्रेंचफेट®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
पावरपैक® एससी-70-6
एमएफआर:
Vishay Siliconix
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
2.6ए (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
3.5W (टीए), 19W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एसआईए456
परिचय
एन-चैनल 200 V 2.6A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) सतह माउंट PowerPAK® SC-70-6
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