SI2319DDS-T1-GE3
निर्माता:
विशाय सिलिकॉनिक्स
विवरण:
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
2.5V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
19 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
75mOhm @ 2.7A, 10V
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4.5 वी, 10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
40 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
650 पीएफ @ 20 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
ट्रेंचफेट® जेन III
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
SOT-23-3 (TO-236)
एमएफआर:
Vishay Siliconix
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
2.7A (टीए), 3.6A (टीसी)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
1W (टा), 1.7W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
एसआई2319
परिचय
पी-चैनल 40 V 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) सतह माउंट SOT-23-3 (TO-236)
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| छवि | भाग # | विवरण | |
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