फिल्टर
फिल्टर
स्मृति
| छवि | भाग # | विवरण | निर्माता | स्टॉक | आरएफक्यू | |
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K4G80325FB-HC25 |
ग्राफ़िक मेमोरी
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सैमसंग अर्धचालक
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M29DW128G70NF6E |
न ही फ़्लैश समानांतर 128Mbit 16 56/56
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एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
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IS41LV16100C-50KLI-TR |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async
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आईएसएसआई
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IS43TR16256AL-15HBLI |
DRAM 4G, 1.35V, 1333Mhz DDR3L SDAM
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आईएसएसआई
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S29CD016J0PQAM113 |
फ़्लैश मेमोरी NOR
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साइप्रस सेमीकंडक्टर
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IS43TR16640A-125JBLI |
DRAM 1G, 1.5V, (64M x 16) 1600Mhz DDR3 SDRAM
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आईएसएसआई
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IS41C16100C-50KLI |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async
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आईएसएसआई
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IS43TR16128B-15HBLI |
DRAM 2G, 1.5V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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आईएसएसआई
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IS43TR16128B-125KBLI |
DRAM 2G, 1.5V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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आईएसएसआई
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IS43TR16256A-125KBLI |
DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3 SDRAM
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आईएसएसआई
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IS43TR16256AL-125KBL |
DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM
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आईएसएसआई
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S29GL128N90FFAR22 |
फ़्लैश मेमोरी NOR
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साइप्रस सेमीकंडक्टर
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THGBMFG6C1LBAIL |
फ्लैश मेमोरी 8 जीबी नंद ईईपीरोम
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टोशिबा
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S29GL032N90FFIS30 |
फ़्लैश मेमोरी 32Mb 3V 90ns समानांतर NOR फ़्लैश
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साइप्रस सेमीकंडक्टर
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TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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टोशिबा
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THGBMHG7C1LBAIL |
फ़्लैश मेमोरी 16जीबी NAND EEPROM w/CQ
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टोशिबा
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S70FL256P0XMFI001 |
फ्लैश मेमोरी 256एम, 3.0वी, 104 मेगाहर्ट्ज एसपीआई और न ही फ्लैश
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साइप्रस सेमीकंडक्टर
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S25FL116K0XMFI041 |
फ्लैश मेमोरी 16एम, 3वी, 108 मेगाहर्ट्ज सीरियल और न ही फ्लैश
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साइप्रस सेमीकंडक्टर
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IS25LQ020B-JNLE-TR |
फ़्लैश मेमोरी 2Mb QSPI, 8-पिन SOP 150Mil, RoHS, ET, T&R
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आईएसएसआई
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IS25LQ032B-जेबीएलई |
फ़्लैश मेमोरी 32M SPI, 8-पिन SOP 208mil ET 2.3-3.6V
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आईएसएसआई
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TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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टोशिबा
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TC58NVG2S0HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
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टोशिबा
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TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
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टोशिबा
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S29JL032J70TFI220 |
फ़्लैश मेमोरी 32एमबी फ़्लैश 3.0V 70ns पैरेलल NOR फ़्लैश
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साइप्रस सेमीकंडक्टर
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S34MS04G100BHI000 |
फ़्लैश मेमोरी 4G, 1.8V, 45ns NAND फ़्लैश
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फैलाव / साइप्रस
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S34ML01G200BHV000 |
फ्लैश मेमोरी नंद
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साइप्रस सेमीकंडक्टर
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S34MS01G100BHI000 |
फ़्लैश मेमोरी 1G, 1.8V, 45ns NAND फ़्लैश
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फैलाव / साइप्रस
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S29GL032N90TFI023 |
फ़्लैश मेमोरी 32MB 2.7-3.6V 90ns समानांतर NOR फ़्लैश
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साइप्रस सेमीकंडक्टर
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IS25WP016D-JULE-TR |
NOR फ़्लैश 16Mb QSPI, 8-पिन USON 2X3MM, RoHS, T&R
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आईएसएसआई
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टीसी58एनवीजी1एस3एचटीए00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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टोशिबा
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TC58BVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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टोशिबा
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टीसी58एनवीजी0एस3एचटीए00 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
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टोशिबा
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TC58BVG2S0HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
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टोशिबा
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IS43TR16256A-125KBLI-TR |
DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3
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आईएसएसआई
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IS43TR16256A-107MBLI |
DRAM 4G, 1.5V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
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आईएसएसआई
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IS43TR16128CL-125KBL |
DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
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आईएसएसआई
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IS43TR16128B-15HBL |
DRAM 2G, 1.5V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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आईएसएसआई
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IS43TR16512AL-125KBL |
DRAM DDR3L,8G,1.5V,RoHs 1600MT/s,512Mx16
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आईएसएसआई
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IS43DR16128B-25EBLI |
DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz @ CL6, 84 बॉल BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS, IT
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आईएसएसआई
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IS43TR16256AL-125KBLI |
DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM
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आईएसएसआई
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IS46TR16128B-15HBLA1 |
DRAM ऑटोमोटिव (Tc: -40 से +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 बॉल BGA (9mm x13mm) R
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आईएसएसआई
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IS41LV16100C-50TLI |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async
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आईएसएसआई
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IS43TR16128BL-125KBL |
DRAM 2G, 1.35V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3L SDRAM
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आईएसएसआई
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IS43TR16512AL-125KBLI |
DRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1600MT/s,512Mx16, IT
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आईएसएसआई
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MT40A512M16TB-062E:जे |
घूंट DDR4 8G 512Mx16 FBGA
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माइक्रोन प्रौद्योगिकी
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S29GL512P11FFI020 |
फ़्लैश मेमोरी 512Mb 3V 110ns समानांतर NOR फ़्लैश
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साइप्रस सेमीकंडक्टर
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S25FL116K0XMFI011 |
फ्लैश मेमोरी 16एम, 3वी, 108 मेगाहर्ट्ज सीरियल और न ही फ्लैश
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साइप्रस सेमीकंडक्टर
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TC58NVG1S3ETA00 |
फ्लैश मेमोरी 1 जीबी 3.3 वी एसएलसी नंद फ्लैश सीरियल ईईपीरोम
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टोशिबा
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TH58NVG4S0FTA20 |
फ़्लैश मेमोरी 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
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टोशिबा
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डीएस2432पी+टी&आर |
EEPROM
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एडीआई / एनालॉग डिवाइस इंक.
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