TC58BVG2S0HTAI0
निर्माता:
टोशिबा
विवरण:
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
आपूर्ति वर्तमान - मैक्स:
30 मा
उत्पाद श्रेणी:
EEPROM
घुड़सवार शैली:
एसएमडी/एसएमटी
न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान:
- 40 सी
संगठन:
512 एम एक्स 8
पैकेज / मामला:
टीएसओपी-48
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान:
+ 85 सी
मेमोरी का आकार:
4 जीबीटी
पैकेजिंग:
ट्रे
श्रृंखला:
टीसी58बीवीजी2एस0
ऑपरेटिंग आपूर्ति वोल्टेज:
3.3 वी
इंटरफ़ेस प्रकार:
समानांतर
अधिकतम घड़ी आवृत्ति:
-
निर्माता:
तोशीबा
परिचय
तोशिबा का TC58BVG2S0HTAI0, EEPROM है। हम जो पेशकश करते हैं, वह वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है, जो मूल और नए भागों में हैं।यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
Related Products
TC58NVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG0S3HBAI6
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
टीसी58बीवीजी0एस3एचटीए00
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG2S0HTA00
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG1S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HBAI4
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG2S0HBAI4
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
टीसी58एनवीजी1एस3एचटीए00
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
| छवि | भाग # | विवरण | |
|---|---|---|---|
|
|
TC58NVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NYG0S3HBAI6 |
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
टीसी58बीवीजी0एस3एचटीए00 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG2S0HTA00 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG2S0HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
टीसी58एनवीजी1एस3एचटीए00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
आरएफक्यू भेजें
स्टॉक:
एमओक्यू: