W987D6HBGX6E
निर्माता:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
IC DRAM 128M समानांतर 54VFBGA
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
प्रौद्योगिकी:
एसडीआरएएम - मोबाइल एलपीएसडीआर
उत्पाद श्रेणी:
मेमोरी आईसी
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
फैक्टरी स्टॉक:
0
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
15एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
54-वीएफबीजीए (8x9)
पहूंच समय:
5.4एनएस
मेमोरी प्रारूप:
घूंट
भाग की स्थिति:
नए डिजाइन के लिए नहीं
मेमोरी का आकार:
128एमबी (8एम x 16)
पैकेजिंग:
ट्रे
@ मात्रा:
0
परिचालन तापमान:
-25°C ~ 85°C (TC)
न्यूनतम मात्रा:
312
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
पैकेज / मामला:
54-टीएफबीजीए
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
घड़ी की आवृत्ति:
166 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
1.7 वी ~ 1.95 वी
श्रृंखला:
-
निर्माता:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
परिचय
W987D6HBGX6E,Winbond Electronics से,मेमोरी आईसी है.हम जो पेशकश करते हैं वह वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है,जो मूल और नए भागों में हैं.यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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