IXFT20N100P
निर्माता:
IXYS
विवरण:
MOSFET एन-सीएच 1000V 20A TO268
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
6.5V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
126 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
570mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
7300 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
HiPerFET™, Polar
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
टीओ-268एए
Mfr:
IXYS
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
20 ए (टीसी)
Power Dissipation (Max):
660W (Tc)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
Base Product Number:
IXFT20
परिचय
एन-चैनल 1000 V 20A (Tc) 660W (Tc) सतह माउंट TO-268AA
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| छवि | भाग # | विवरण | |
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IXFK27N80 |
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IXFH20N80Q |
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IXFH15N80 |
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
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IXFH26N50Q |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
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IXFH12N90 |
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IXFN36N100 |
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