IXFN38N100Q2
निर्माता:
IXYS
विवरण:
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
5 वी @ 8 एमए
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेज / मामला:
SOT-227-4, मिनीब्लॉक
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
250 nC @ 10 V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
250mOhm @ 19A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
7200 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
HiPerFET™, Q2 Class
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
38A (Tc)
Power Dissipation (Max):
890W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN38
परिचय
एन-चैनल 1000 V 38A (Tc) 890W (Tc) चेसिस माउंट SOT-227B
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