IXFB30N120P
निर्माता:
IXYS
विवरण:
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
6.5V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-264-3, TO-264AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
310 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
350mOhm @ 500mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
पैकेज:
ट्यूब
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200 V
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
Product Status:
Active
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
22500 पीएफ @ 25 वी
Mounting Type:
Through Hole
श्रृंखला:
HiPerFET™, पोलर
Supplier Device Package:
PLUS264™
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
30A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1250W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFB30
परिचय
एन-चैनल 1200 V 30A (Tc) 1250W (Tc) छेद के माध्यम से PLUS264TM
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