IXFH80N65X2
निर्माता:
IXYS
विवरण:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.5V @ 4mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
143 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
40mOhm @ 40A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
पैकेज:
ट्यूब
Drain to Source Voltage (Vdss):
650 V
वीजीएस (अधिकतम):
± 30 वी
Product Status:
Active
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
8245 पीएफ @ 25 वी
Mounting Type:
Through Hole
श्रृंखला:
HiPerFET™, अल्ट्रा X2
Supplier Device Package:
TO-247 (IXTH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
80A (Tc)
Power Dissipation (Max):
890W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFH80
परिचय
एन-चैनल 650 वी 80 ए (टीसी) 890 डब्ल्यू (टीसी) छेद के माध्यम से TO-247 (IXTH)
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| छवि | भाग # | विवरण | |
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IXFH15N80 |
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IXFH26N50Q |
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