IXTQ130N10T
निर्माता:
IXYS
विवरण:
MOSFET N-CH 100V 130A TO3P
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-3P-3, SC-65-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
104 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
9.1mOhm @ 25A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
पैकेज:
ट्यूब
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
Product Status:
Active
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
5080 पीएफ @ 25 वी
Mounting Type:
Through Hole
श्रृंखला:
खाई खोदकर मोर्चा दबाना
Supplier Device Package:
TO-3P
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
130A (Tc)
Power Dissipation (Max):
360W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTQ130
परिचय
एन-चैनल 100 वी 130 ए (टीसी) 360 डब्ल्यू (टीसी) छेद के माध्यम से TO-3P
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