IXTH80N65X2
निर्माता:
IXYS
विवरण:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 4mA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
Package / Case:
TO-247-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
144 एनसी @ 10 वी
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
40mOhm @ 40A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
650 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
7753 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
Ultra X2
Supplier Device Package:
TO-247 (IXTH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
80A (Tc)
Power Dissipation (Max):
890W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTH80
परिचय
एन-चैनल 650 वी 80 ए (टीसी) 890 डब्ल्यू (टीसी) छेद के माध्यम से TO-247 (IXTH)
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| छवि | भाग # | विवरण | |
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IXFK120N20 |
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IXFK27N80 |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
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IXFH20N80Q |
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
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IXFH15N80 |
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
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IXFH26N50Q |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
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IXFH12N90 |
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
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IXFH13N50 |
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
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IXFN32N120P |
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
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IXFN32N100Q3 |
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
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IXFN36N100 |
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