IXTH11P50
निर्माता:
IXYS
विवरण:
MOSFET P-CH 500V 11A TO247
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेज / मामला:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
130 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
750mOhm @ 5.5A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4700 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247 (IXTH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
11A (Tc)
Power Dissipation (Max):
300W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTH11
परिचय
पी-चैनल 500 V 11A (Tc) 300W (Tc) छेद के माध्यम से TO-247 (IXTH)
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| छवि | भाग # | विवरण | |
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IXFK27N80 |
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IXFH20N80Q |
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IXFH15N80 |
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
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IXFH26N50Q |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
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IXFH12N90 |
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
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