RQ1E070RPTR
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
पैकेज / मामला:
8-एसएमडी, फ्लैट लीड
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
26 nC @ 5 V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
17mOhm @ 7A, 10V
FET Type:
P-Channel
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4 वी, 10 वी
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
30 वी
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2700 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TSMT8
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
7A (Ta)
Power Dissipation (Max):
550mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RQ1E070
परिचय
पी-चैनल 30 V 7A (Ta) 550mW (Ta) सतह माउंट TSMT8
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छवि | भाग # | विवरण | |
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RSD050N10TL |
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RRR040P03TL |
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