RS1L120GNTB
निर्माता:
रोहम सेमीकंडक्टर
विवरण:
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
2.7V @ 200µA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
पैकेज / मामला:
8-पॉवरटीडीएफएन
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
26 nC @ 10 V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
12.7mOhm @ 12A, 10V
FET Type:
N-Channel
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4.5 वी, 10 वी
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1330 pF @ 30 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
8-HSOP
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Ta), 36A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RS1L
परिचय
एन-चैनल 60 V 12A (Ta), 36A (Tc) 3W (Ta) सतह माउंट 8-HSOP
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