SCT3120ALGC11
निर्माता:
रोहम सेमीकंडक्टर
विवरण:
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.6V @ 3.33mA
Operating Temperature:
175°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
38 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
156mOhm @ 6.7A, 18V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
18V
पैकेज:
ट्यूब
Drain to Source Voltage (Vdss):
650 V
वीजीएस (अधिकतम):
+22 वी, -4 वी
Product Status:
Active
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
460 पीएफ @ 500 वी
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247N
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
21A (Tc)
Power Dissipation (Max):
103W (Tc)
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
Base Product Number:
SCT3120
परिचय
एन-चैनल 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) छेद के माध्यम से TO-247N
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| छवि | भाग # | विवरण | |
|---|---|---|---|
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MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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RRR040P03TL |
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