IXFA22N65X2
निर्माता:
IXYS
विवरण:
MOSFET N-CH 650V 22A TO263
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.5V @ 1.5mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
38 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
160mOhm @ 11A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
650 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2310 pF @ 25 V
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
Series:
HiPerFET™, Ultra X2
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
टीओ-263एचवी
Mfr:
IXYS
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
22A (Tc)
Power Dissipation (Max):
390W (Tc)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
Base Product Number:
IXFA22
परिचय
एन-चैनल 650 V 22A (Tc) 390W (Tc) सतह माउंट TO-263HV
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