SCT3030KLGC11
निर्माता:
रोहम सेमीकंडक्टर
विवरण:
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.6V @ 13.3mA
परिचालन तापमान:
175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
Package / Case:
TO-247-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
131 एनसी @ 18 वी
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
39mOhm @ 27A, 18V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
18V
पैकेज:
ट्यूब
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
+22V, -4V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2222 pF @ 800 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247N
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
72A (Tc)
Power Dissipation (Max):
339W (Tc)
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
Base Product Number:
SCT3030
परिचय
एन-चैनल 1200 V 72A (Tc) 339W (Tc) छेद के माध्यम से TO-247N
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| छवि | भाग # | विवरण | |
|---|---|---|---|
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RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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RRR040P03TL |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RUM003N02T2L |
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आरडी3पी130एसपीटीएल1 |
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RQ3E100ATTB |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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