IXFN82N60P
निर्माता:
IXYS
विवरण:
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
240 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
75mOhm @ 41A, 10V
FET Type:
N-Channel
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
Package:
Tube
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
600 वी
Vgs (Max):
±30V
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
23000 pF @ 25 V
माउंटिंग प्रकार:
चेसिस माउंट
Series:
HiPerFET™, Polar
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
72A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1040W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN82
परिचय
एन-चैनल 600 V 72A (Tc) 1040W (Tc) चेसिस माउंट SOT-227B
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