IXFK200N10P
निर्माता:
IXYS
विवरण:
MOSFET 200 एम्प्स 100V 0.0075 Rds
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता:
n- चैनल
प्रौद्योगिकी:
सी
आईडी - सतत नाली वर्तमान:
200 ए
घुड़सवार शैली:
छेद से
व्यापरिक नाम:
पोलर, हाईपरफेट
न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान:
- 55 सी
पैकेज / मामला:
TO-264-3
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान:
+ 175 सी
चैनल मोड:
वृद्धि
Vds - ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज:
100 वी
पैकेजिंग:
ट्यूब
वीजीएस वें - गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड वोल्टेज:
5 वी
उत्पाद श्रेणी:
MOSFET
आरडीएस ऑन - ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस:
7.5 एमओहम्स
चैनलों की संख्या:
1 चैनल
वीजीएस - गेट-सोर्स वोल्टेज:
20 वि
क्यूजी - गेट चार्ज:
235 एनसी
निर्माता:
IXYS
परिचय
IXYS से IXFK200N10P,MOSFET है.हम जो पेशकश करते हैं वह वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है,जो मूल और नए भागों में हैं।यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
Related Products
IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A
IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXTT110N10L2
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
IXFN520N075T2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFH23N80Q
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
| छवि | भाग # | विवरण | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
|
|
|
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
|
|
IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
|
|
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
|
|
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
|
|
IXTT110N10L2 |
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
|
|
IXFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
|
|
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
|
आरएफक्यू भेजें
स्टॉक:
एमओक्यू: