IXTH110N10L2
निर्माता:
IXYS
विवरण:
MOSFET L2 रैखिक पावर MOSFET
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता:
n- चैनल
प्रौद्योगिकी:
सी
आईडी - सतत नाली वर्तमान:
110 ए
घुड़सवार शैली:
छेद से
न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान:
- 55 सी
पैकेज / मामला:
TO-247-3
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान:
+ 150 सी
चैनल मोड:
वृद्धि
Vds - ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज:
100 वी
पैकेजिंग:
ट्यूब
वीजीएस वें - गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड वोल्टेज:
2.5 वी
उत्पाद श्रेणी:
MOSFET
आरडीएस ऑन - ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस:
18 ओम
चैनलों की संख्या:
1 चैनल
वीजीएस - गेट-सोर्स वोल्टेज:
20 वि
क्यूजी - गेट चार्ज:
260 एनसी
निर्माता:
IXYS
परिचय
IXYS से IXTH110N10L2,MOSFET है।हम जो पेशकश करते हैं वह वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है,जो मूल और नए भागों में हैं।यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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