IXFN160N30T
निर्माता:
IXYS
विवरण:
MOSFET ट्रेंच HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता:
n- चैनल
प्रौद्योगिकी:
सी
आईडी - सतत नाली वर्तमान:
130 ए
घुड़सवार शैली:
चेसिस माउंट
व्यापरिक नाम:
गीगाएमओएस
न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान:
- 55 सी
पैकेज / मामला:
एसओटी-227-4
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान:
+ 150 सी
चैनल मोड:
वृद्धि
Vds - ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज:
300 वी
पैकेजिंग:
ट्यूब
वीजीएस वें - गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड वोल्टेज:
5 वी
उत्पाद श्रेणी:
MOSFET
आरडीएस ऑन - ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस:
19 एमओहम्स
चैनलों की संख्या:
1 चैनल
वीजीएस - गेट-सोर्स वोल्टेज:
20 वि
क्यूजी - गेट चार्ज:
335 एनसी
निर्माता:
IXYS
परिचय
IXYS से IXFN160N30T,MOSFET है।हम जो पेशकश करते हैं,विश्व बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है,जो मूल और नए भागों में हैं।यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
Related Products
IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A
IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXTT110N10L2
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
IXFN520N075T2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
| छवि | भाग # | विवरण | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
|
|
|
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
|
|
IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
|
|
|
|
IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
|
|
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
|
|
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
|
|
IXTT110N10L2 |
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
|
|
IXFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
आरएफक्यू भेजें
स्टॉक:
एमओक्यू: