W9812G6KH-6
निर्माता:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
आईसी DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
प्रौद्योगिकी:
एसडीआरएएम
उत्पाद श्रेणी:
मेमोरी आईसी
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
फैक्टरी स्टॉक:
0
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
54-टीएसओपी II
पहूंच समय:
5एनएस
मेमोरी प्रारूप:
घूंट
भाग की स्थिति:
सक्रिय
मेमोरी का आकार:
128एमबी (8एम x 16)
पैकेजिंग:
ट्यूब
@ मात्रा:
0
परिचालन तापमान:
0°C ~ 70°C (TA)
न्यूनतम मात्रा:
1
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
पैकेज / मामला:
54-टीएसओपी (0.400", 10.16 मिमी चौड़ाई)
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
घड़ी की आवृत्ति:
166 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
3 वी ~ 3.6 वी
श्रृंखला:
-
निर्माता:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
परिचय
W9812G6KH-6,Winbond Electronics से,मेमोरी ICs है. हम क्या पेशकश वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है, जो मूल और नए भागों में कर रहे हैं.यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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