W9812G2KB-6I
निर्माता:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
IC DRAM 128M समानांतर 90TFBGA
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
प्रौद्योगिकी:
एसडीआरएएम
उत्पाद श्रेणी:
मेमोरी आईसी
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
फैक्टरी स्टॉक:
0
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
90-टीएफबीजीए (8x13)
पहूंच समय:
5एनएस
मेमोरी प्रारूप:
घूंट
भाग की स्थिति:
सक्रिय
मेमोरी का आकार:
128 एमबी (4 एम x 32)
पैकेजिंग:
ट्रे
@ मात्रा:
0
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
न्यूनतम मात्रा:
240
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
पैकेज / मामला:
90-टीएफबीजीए
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
घड़ी की आवृत्ति:
166 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
3 वी ~ 3.6 वी
श्रृंखला:
-
निर्माता:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
परिचय
W9812G2KB-6I,Winbond Electronics से,मेमोरी आईसी है.हम जो पेशकश करते हैं वह वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है,जो मूल और नए भागों में हैं.यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
Related Products
W25Q128JVSIM
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
W631GG6KB-12
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
W9425G6KH-5
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
W25X40CLSNIG
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q64JVSSIQ
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
W9825G6KH-6
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
W9751G6KB25I
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W25Q80DVSSIG
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q16JVSSIQ
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
| छवि | भाग # | विवरण | |
|---|---|---|---|
|
|
W25Q128JVSIM |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W631GG6KB-12 |
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
|
|
|
|
W9425G6KH-5 |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
|
|
|
|
W25X40CLSNIG |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q64JVSSIQ |
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W9825G6KH-6 |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
|
|
|
|
W9751G6KB25I |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W9751G6KB-18 |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W25Q80DVSSIG |
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q16JVSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
|
आरएफक्यू भेजें
स्टॉक:
एमओक्यू: