बीएसएस123
निर्माता:
यांगझोउ यांगजी इलेक्ट्रॉनिक टेक्नोलॉजी कं, लिमिटेड
विवरण:
N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
2.5 nC @ 10 V
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
14 पीएफ @ 50 वी
Series:
-
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
एसओटी-23
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
5Ohm @ 200mA, 10V
Mfr:
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
350mW (Ta)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200mA (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature:
-
परिचय
एन-चैनल 100 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) सतह माउंट SOT-23
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