FQPF19N20C
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेज / मामला:
TO-220-3 पूर्ण पैक
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
53 nC @ 10 V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
170mOhm @ 9.5A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1080 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-220F-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
19A (Tc)
Power Dissipation (Max):
43W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQPF19
परिचय
एन-चैनल 200 V 19A (Tc) 43W (Tc) छेद के माध्यम से TO-220F-3
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स्टॉक:
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