NP100P06PDG-E1-AY
निर्माता:
रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक
विवरण:
MOSFET P-CH 60V 100A TO263
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Operating Temperature:
175°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
300 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6mOhm @ 50A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
15000 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-263
एमएफआर:
रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
100A (Tc)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
1.8W (टीए), 200W (टीसी)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
मूल उत्पाद संख्या:
एनपी100पी06
परिचय
पी-चैनल 60 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) सतह माउंट TO-263
आरएफक्यू भेजें
स्टॉक:
एमओक्यू: