IXTT1N450HV
निर्माता:
IXYS
विवरण:
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
6.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
40 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
85Ohm @ 50mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
4500 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1730 pF @ 25 V
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
Series:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
टीओ-268एए
Mfr:
IXYS
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
1ए (टीसी)
Power Dissipation (Max):
520W (Tc)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
Base Product Number:
IXTT1
परिचय
एन-चैनल 4500 V 1A (Tc) 520W (Tc) सतह माउंट TO-268AA
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| छवि | भाग # | विवरण | |
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IXFH26N50Q |
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