विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
5 वी @ 8 एमए
Operating Temperature:
-
पैकेज / मामला:
TO-264-3, TO-264AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
378 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
7.5mOhm @ 60A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
28000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Trench
Supplier Device Package:
TO-264AA (IXFK)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
230A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1670W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFK230
परिचय
एन-चैनल 200 वी 230 ए (टीसी) 1670 डब्ल्यू (टीसी) छेद के माध्यम से TO-264AA (IXFK)
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छवि | भाग # | विवरण | |
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IXFK120N20 |
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
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IXFK27N80 |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
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IXFH20N80Q |
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
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IXFH15N80 |
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
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IXFH26N50Q |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
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IXFH12N90 |
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
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IXFH13N50 |
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
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IXFN32N120P |
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
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IXFN32N100Q3 |
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
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IXFN36N100 |
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
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