आईआरएफपी4368पीबीएफ
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
पैकेज / मामला:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
570 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.85mOhm @ 195A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
75 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
19230 pF @ 50 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HEXFET®
Supplier Device Package:
TO-247AC
Mfr:
Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
195A (Tc)
Power Dissipation (Max):
520W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFP4368
परिचय
एन-चैनल 75 V 195A (Tc) 520W (Tc) छेद के माध्यम से TO-247AC
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स्टॉक:
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