FQP12N60C
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेज / मामला:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
63 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
650mOhm @ 6A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Obsolete
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2290 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
Power Dissipation (Max):
225W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQP12
परिचय
एन-चैनल 600 V 12A (Tc) 225W (Tc) छेद के माध्यम से TO-220-3
आरएफक्यू भेजें
स्टॉक:
एमओक्यू: